STP10N60M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STP10N60M2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STP10N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10N60M2 даташит

 ..1. Size:1627K  st
 stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdf pdf_icon

STP10N60M2

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 7.1. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

 7.2. Size:948K  st
 stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

 7.3. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, K4145, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6