STP10NK50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP10NK50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP10NK50Z datasheet

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STP10NK50Z

STP10NK50Z N-channel 500 V, 0.55 , 9 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in TO-220 package Datasheet obsolete product Features Order code VDSS RDS(on) max ID PTOT TAB STP10NK50Z 500 V

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STP10NK50Z

STP10NK50Z STF10NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.55 - 9A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK50Z 500 V

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STP10NK50Z

STP10NK70Z STP10NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK70Z 700 V

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STP10NK50Z

STP10NK80ZFP STP10NK80Z - STW10NK80Z N-channel 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK80Z 800V

Otros transistores... STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, 12N60, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6, STP11N65M2, STP11N65M5, STP11NM60A