STP10NK50Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10NK50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP10NK50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NK50Z даташит

 ..1. Size:503K  st
stp10nk50z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK50Z N-channel 500 V, 0.55 , 9 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in TO-220 package Datasheet obsolete product Features Order code VDSS RDS(on) max ID PTOT TAB STP10NK50Z 500 V

 ..2. Size:528K  st
stp10nk50z stf10nk50z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK50Z STF10NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.55 - 9A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK50Z 500 V

 7.1. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK70Z STP10NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK70Z 700 V

 7.2. Size:455K  st
stp10nk80zfp stp10nk80z stw10nk80z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK80ZFP STP10NK80Z - STW10NK80Z N-channel 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK80Z 800V

Другие IGBT... STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, 12N60, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6, STP11N65M2, STP11N65M5, STP11NM60A