Справочник MOSFET. STP10NK50Z

 

STP10NK50Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP10NK50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP10NK50Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NK50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  st
stp10nk50z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK50ZN-channel 500 V, 0.55 , 9 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in TO-220 packageDatasheet obsolete productFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PTOTTABSTP10NK50Z 500 V

 ..2. Size:528K  st
stp10nk50z stf10nk50z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK50ZSTF10NK50ZN-CHANNEL 500V - 0.55 - 9A TO-220 / TO-220FPZener-Protected SuperMESHMOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP10NK50Z 500 V

 7.1. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK70ZSTP10NK70ZFPN-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FPZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP10NK70Z 700 V

 7.2. Size:455K  st
stp10nk80zfp stp10nk80z stw10nk80z.pdfpdf_icon

STP10NK50Z

STP10NK80ZFPSTP10NK80Z - STW10NK80ZN-channel 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247Zener-protected superMESHTM MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP10NK80Z 800V

Другие MOSFET... STP100N10F7 , STP100N8F6 , STP1013 , STP105N3LL , STP10N105K5 , STP10N60M2 , STP10N65K3 , STP10N95K5 , 4N60 , STP10NK60ZFP , STP10P6F6 , STP110N10F7 , STP110N55F6 , STP110N8F6 , STP11N65M2 , STP11N65M5 , STP11NM60A .

History: IRF640H | 2N5163 | 2N80G-TM3-R | BUK9Y3R0-40E | HY3N80T | JMSH0805PK | PDC906Z

 

 
Back to Top

 


 
.