STP11N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP11N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP11N65M2 MOSFET
STP11N65M2 Datasheet (PDF)
std11n65m2 stp11n65m2 stu11n65m2.pdf

STD11N65M2, STP11N65M2, STU11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABTAB3Order codes VDS RDS(on) max ID1STD11N65M2DPAK3STP11N65M2 650 V 0.67 7 A21STU11N65M2TO-220TAB Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 packages FeaturesTABTAB32 VDS @311RDS(on)max. IDOrder codeDPAK2D PAKTjmax.TABSTB11N65M5STD11N65M5710 V 0.48 9 A3231 STF11N65M521TO-220TO-220FPSTP11N65M5D(2, TAB) Extremel
stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTAB2VDSS @ RDS(on) 2 3Order codes ID 31TJmax max 132DPAKD2PAK 1STB11N65M5TO-220FPSTD11N65M5TABSTF11N65M5 710 V
stp11n65m5.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor STP11N65M5FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Otros transistores... STP10N65K3 , STP10N95K5 , STP10NK50Z , STP10NK60ZFP , STP10P6F6 , STP110N10F7 , STP110N55F6 , STP110N8F6 , IRLB4132 , STP11N65M5 , STP11NM60A , STP11NM60FDFP , STP11NM60FP , STP11NM60N , STP11NM65N , STP120NH03L , STP12N50M2 .
History: PD5P8BA | 2P978D | MPSP60M160 | 2SK1723 | MRF138 | CMLDM7003 | IXTT50N30
History: PD5P8BA | 2P978D | MPSP60M160 | 2SK1723 | MRF138 | CMLDM7003 | IXTT50N30



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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