STP11N65M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP11N65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP11N65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP11N65M2 даташит

 ..1. Size:1172K  st
 std11n65m2 stp11n65m2 stu11n65m2.pdf pdf_icon

STP11N65M2

STD11N65M2, STP11N65M2, STU11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - preliminary data Features TAB TAB 3 Order codes VDS RDS(on) max ID 1 STD11N65M2 DPAK 3 STP11N65M2 650 V 0.67 7 A 2 1 STU11N65M2 TO-220 TAB Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation

 5.1. Size:1017K  st
 stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf pdf_icon

STP11N65M2

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB TAB 3 2 VDS @ 3 1 1 RDS(on)max. ID Order code DPAK 2 D PAK Tjmax. TAB STB11N65M5 STD11N65M5 710 V 0.48 9 A 3 2 3 1 STF11N65M5 2 1 TO-220 TO-220FP STP11N65M5 D(2, TAB) Extremel

 5.2. Size:1276K  st
 stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf pdf_icon

STP11N65M2

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5 N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet production data Features TAB TAB 2 VDSS @ RDS(on) 2 3 Order codes ID 3 1 TJmax max 1 3 2 DPAK D2PAK 1 STB11N65M5 TO-220FP STD11N65M5 TAB STF11N65M5 710 V

 5.3. Size:260K  inchange semiconductor
 stp11n65m5.pdf pdf_icon

STP11N65M2

isc N-Channel MOSFET Transistor STP11N65M5 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6, CS150N03A8, STP11N65M5, STP11NM60A, STP11NM60FDFP, STP11NM60FP, STP11NM60N, STP11NM65N, STP120NH03L, STP12N50M2