STP12NM50FP Todos los transistores

 

STP12NM50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP12NM50FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP12NM50FP Datasheet (PDF)

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STP12NM50FP

STP12NM50 - STP12NM50FPSTB12NM50 - STB12NM50-1N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)33STB12NM50 550V

 ..2. Size:618K  st
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STP12NM50FP

STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FPDatasheetN-channel 500 V, 300 m typ., 12 A MDmesh Power MOSFETs in a DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codes312D PAK3STB12NM50T421TO-220FPTAB STP12NM50 500 V 350 m 12 ASTP12NM50FP32 100% avalanche tested1TO-220 Low input capacitance and gate charge Low gate inp

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STP12NM50FP

STP12NM50 - STP12NM50FPSTB12NM50 - STB12NM50-1N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)33STB12NM50 550V

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STP12NM50FP

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP12NM50FPFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.35@10VFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSBe suitable for increasing power density of high voltage convertersallowing system miniaturization and

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History: SVG108R5NAD | AP98T06GP | UTR4502 | VBP15R50S

 

 
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