STP12NM50FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP12NM50FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STP12NM50FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP12NM50FP даташит

 ..1. Size:542K  st
stp12nm50 stp12nm50fp stb12nm50 stb12nm50-1.pdfpdf_icon

STP12NM50FP

STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 STB12NM50 550V

 ..2. Size:618K  st
stb12nm50t4 stp12nm50 stp12nm50fp.pdfpdf_icon

STP12NM50FP

STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FP Datasheet N-channel 500 V, 300 m typ., 12 A MDmesh Power MOSFETs in a D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID Order codes 3 1 2 D PAK 3 STB12NM50T4 2 1 TO-220FP TAB STP12NM50 500 V 350 m 12 A STP12NM50FP 3 2 100% avalanche tested 1 TO-220 Low input capacitance and gate charge Low gate inp

 ..3. Size:541K  st
stb12nm50t4 stp12nm50fp.pdfpdf_icon

STP12NM50FP

STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 STB12NM50 550V

 ..4. Size:221K  inchange semiconductor
stp12nm50fp.pdfpdf_icon

STP12NM50FP

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STP12NM50FP FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 0.35 @10V Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Be suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and

Другие IGBT... STP11NM60FDFP, STP11NM60FP, STP11NM60N, STP11NM65N, STP120NH03L, STP12N50M2, STP12N60M2, STP12NM50FD, 2SK3568, STP12NM50N, STP12NM60N, STP130N10F3, STP13N60M2, STP13N65M2, STP13N80K5, STP13NK50Z, STP13NM50N