STP130N10F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP130N10F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP130N10F3 datasheet

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STP130N10F3

STF130N10F3, STFI130N10F3, STH130N10F3-2, STP130N10F3 N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFET III Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, H PAK-2 and TO-220 packages Datasheet production data Features RDS(on) Order codes VDSS max. ID 3 STF130N10F3 2 1 9.6 m 46 A 1 2 STFI130N10F3 3 TO-220FP 100 V I PAKFP STH130N10F3-2 9.3 m TAB 120 A STP130N10F3 9.6 m TAB

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STP130N10F3

STP130NH02L N-channel 24V - 0.0034 - 120A - TO-220 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion Features Type VDSS RDS(on) ID STP130NH02L 24V

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STP130N10F3

STP130N6F7 N-channel 60 V, 4.2 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP130N6F7 60 V 5.0 m 80 A 160 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications

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STP130N10F3

STP130NS04ZB - STB130NS04ZB-1 STB130NS04ZB - STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 m - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP130NS04ZB clamped

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