STP150NF04 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP150NF04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP150NF04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP150NF04 datasheet

..1. Size:391K st
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STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID TAB max STP150NF04 40 V

..2. Size:495K st
stb150nf04 stp150nf04.pdf pdf_icon

STB150NF04 STP150NF04 N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB150NF04 40 V

6.1. Size:564K st
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf pdf_icon

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

7.1. Size:945K st
std150n3llh6 stp150n3llh6 stu150n3llh6.pdf pdf_icon

STD150N3LLH6 STP150N3LLH6, STU150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD150N3LLH6 30 V 0.0028 80 A 3 3 2 STP150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A 1 1 STu150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A IPAK DPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 Hi

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