STP16N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP16N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP16N60M2 datasheet

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STP16N60M2

STP16N60M2, STU16N60M2 N-channel 600 V, 0.28 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP16N60M2 600 V 0.32 12 A STU16N60M2 3 2 TAB 1 TO-220 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 3 2 IPAK

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STP16N60M2

STF16N65M5, STI16N65M5 STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5 N-channel 650 V, 0.240 , 12 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, TO-220, IPAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 2 2 1 STF16N65M5 1 1 TO-220 STI16N65M5 TO-247 TO-220FP STP16N65M5 710 V

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STP16N60M2

STF16N65M5, STI16N65M5 STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5 N-channel 650 V, 0.230 , 12 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220, IPAK, TO-247 Features TAB TAB VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 2 3 3 2 1 1 2 STF16N65M5 1 TO-220FP TO-220 STI16N65M5 I PAK STP16N65M5 710 V

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