Справочник MOSFET. STP16N60M2

 

STP16N60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP16N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP16N60M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP16N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  st
stp16n60m2 stu16n60m2.pdfpdf_icon

STP16N60M2

STP16N60M2, STU16N60M2 N-channel 600 V, 0.28 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP16N60M2 600 V 0.32 12 A STU16N60M2 3 2TAB1TO-220 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 32IPAK

 7.1. Size:1053K  st
stp16n65m5 stu16n65m5 stw16n65m5 sti16n65m5 stf16n65m5.pdfpdf_icon

STP16N60M2

STF16N65M5, STI16N65M5STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5N-channel 650 V, 0.240 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin TO-220FP, TO-220, IPAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33 322 21STF16N65M51 1TO-220STI16N65M5 TO-247 TO-220FPSTP16N65M5 710 V

 7.2. Size:1099K  st
stf16n65m5 sti16n65m5 stp16n65m5 stu16n65m5 stw16n65m5.pdfpdf_icon

STP16N60M2

STF16N65M5, STI16N65M5STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5N-channel 650 V, 0.230 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247FeaturesTABTABVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max32 3 3211 2STF16N65M51TO-220FPTO-220STI16N65M5 IPAKSTP16N65M5 710 V

 7.3. Size:818K  st
stp16n65m2 stu16n65m2.pdfpdf_icon

STP16N60M2

STP16N65M2, STU16N65M2N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDTABSTP16N65M2 710 V 0.36 11 ASTU16N65M2 710 V 0.36 11 A3 Extremely low gate charge23 Excellent output capacitance (Coss) profile 121 100% avalanche tested

Другие MOSFET... STP15N65M5 , STP15N80K5 , STP15N95K5 , STP15NK50ZFP , STP15NM60N , STP160N3LL , STP160N4LF6 , STP16N50M2 , AON7403 , STP16N65M2 , STP16NF06FP , STP16NF06LFP , STP16NK65Z , STP16NM50N , STP16NS25 , STP16NS25FP , STP170N8F7 .

History: BLV7N60 | H06N60U | BRU24N50

 

 
Back to Top

 


 
.