STP18N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP18N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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STP18N65M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:525K st
sti18n65m2 stp18n65m2.pdf

STI18N65M2, STP18N65M2N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTI18N65M2650V 0.33 12 ASTP18N65M23 32211 Extremely low gate chargeI2PAK TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-prote

5.1. Size:948K st
stf18n65m5 sti18n65m5 stp18n65m5 stw18n65m5.pdf

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5,STW18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order code IDTJmax max3213STF18N65M5 21TO-220FPSTI18N65M5IPAK710 V

7.1. Size:287K st
stp18n60dm2.pdf

STP18N60DM2 N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP18N60DM2 600 V 0.295 12 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

7.2. Size:1200K st
stb18n60m2 stp18n60m2 stw18n60m2.pdf

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3 Order codes ID1 TJmax max2D PAKSTB18N60M2STP18N60M2 650 V 0.28 13 ATABSTW18N60M2 Extremely low gate charge3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation

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Liste

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