STP18N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP18N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP18N65M2 datasheet

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STP18N65M2

STI18N65M2, STP18N65M2 N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID TAB TAB STI18N65M2 650V 0.33 12 A STP18N65M2 3 3 2 2 1 1 Extremely low gate charge I2PAK TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-prote

 5.1. Size:948K  st
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STP18N65M2

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5, STW18N65M5 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order code ID TJmax max 3 2 1 3 STF18N65M5 2 1 TO-220FP STI18N65M5 I PAK 710 V

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STP18N65M2

STP18N60DM2 N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STP18N60DM2 600 V 0.295 12 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

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STP18N65M2

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2 N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 3 Order codes ID 1 TJmax max 2 D PAK STB18N60M2 STP18N60M2 650 V 0.28 13 A TAB STW18N60M2 Extremely low gate charge 3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation

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