STP18NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP18NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP18NM60ND
STP18NM60ND Datasheet (PDF)
stb18nm60nd stf18nm60nd stp18nm60nd stw18nm60nd.pdf
STB18NM60ND, STF18NM60ND, STP18NM60ND, STW18NM60NDN-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) IDOrder codes3TJmaxmax132STB18NM60NDD2PAK 1TO-220FPSTF18NM60ND650 V
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf
STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V
stb18nm60n stf18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf
STB18NM60N, STF18NM60N, STP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID PTOT(@Tjmax) max.3132STB18NM60N 110 W1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-220FP650 V
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf
STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V
stb18nm80 stf18nm80 stp18nm80 stw18nm80.pdf
STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID3321STB18NM80 800 V
stp18nm80.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP18NM80FEATURESTypical R (on)=0.25DSLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK3574-S
History: 2SK3574-S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918