Справочник MOSFET. STP18NM60ND

 

STP18NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP18NM60ND
   Маркировка: 18NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP18NM60ND

 

 

STP18NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1417K  st
stb18nm60nd stf18nm60nd stp18nm60nd stw18nm60nd.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

STB18NM60ND, STF18NM60ND, STP18NM60ND, STW18NM60NDN-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) IDOrder codes3TJmaxmax132STB18NM60NDD2PAK 1TO-220FPSTF18NM60ND650 V

 4.1. Size:995K  st
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V

 4.2. Size:1158K  st
stb18nm60n stf18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

STB18NM60N, STF18NM60N, STP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID PTOT(@Tjmax) max.3132STB18NM60N 110 W1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-220FP650 V

 7.1. Size:963K  st
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V

 7.2. Size:1048K  st
stb18nm80 stf18nm80 stp18nm80 stw18nm80.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID3321STB18NM80 800 V

 7.3. Size:205K  inchange semiconductor
stp18nm80.pdf

STP18NM60ND STP18NM60ND

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP18NM80FEATURESTypical R (on)=0.25DSLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFI530G

 

 
Back to Top