STP190NF04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP190NF04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP190NF04 datasheet

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STP190NF04

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

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STP190NF04

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

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stp190n55lf3.pdf pdf_icon

STP190NF04

STP190N55LF3 N-channel 55 V, 2.9 m , 120 A, TO-220 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PD max STP190N55LF3 55 V

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stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf pdf_icon

STP190NF04

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

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