STP190NF04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP190NF04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP190NF04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP190NF04 даташит

 ..1. Size:508K  st
stp190nf04 stb190nf04 stb190nf04-1.pdfpdf_icon

STP190NF04

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

 ..2. Size:460K  st
stb190nf04-1 stb190nf04t4 stp190nf04.pdfpdf_icon

STP190NF04

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

 7.1. Size:645K  st
stp190n55lf3.pdfpdf_icon

STP190NF04

STP190N55LF3 N-channel 55 V, 2.9 m , 120 A, TO-220 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PD max STP190N55LF3 55 V

 9.1. Size:582K  st
stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdfpdf_icon

STP190NF04

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

Другие IGBT... STP16NM50N, STP16NS25, STP16NS25FP, STP170N8F7, STP18N60M2, STP18N65M2, STP18N65M5, STP18NM60ND, IRFZ44N, STP19N05L, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, STP1N105K3, STP20N20, STP20N65M5, STP20NE06L