STP19N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP19N05L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP19N05L MOSFET
STP19N05L Datasheet (PDF)
stp19n06--.pdf

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP19N06 60 V
stp19n06l.pdf

STP19N06LSTP19N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06L 60 V
stp19n06.pdf

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06 60 V
Otros transistores... STP16NS25 , STP16NS25FP , STP170N8F7 , STP18N60M2 , STP18N65M2 , STP18N65M5 , STP18NM60ND , STP190NF04 , IRF3205 , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , STP1N105K3 , STP20N20 , STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP .
History: 2SK1061 | 4N65KL-TMS4-T | 2N7002K1 | CTLDM7120-M832D | HM7N65I
History: 2SK1061 | 4N65KL-TMS4-T | 2N7002K1 | CTLDM7120-M832D | HM7N65I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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