STP19N05L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP19N05L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP19N05L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP19N05L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:143K st
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7.1. Size:194K st
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STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP19N06 60 V

7.2. Size:142K st
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STP19N06L STP19N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06L 60 V

7.3. Size:387K st
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STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06 60 V