STP19N05L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP19N05L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP19N05L
STP19N05L Datasheet (PDF)
stp19n06--.pdf
STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP19N06 60 V
stp19n06l.pdf
STP19N06LSTP19N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06L 60 V
stp19n06.pdf
STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06 60 V
Другие MOSFET... STP16NS25 , STP16NS25FP , STP170N8F7 , STP18N60M2 , STP18N65M2 , STP18N65M5 , STP18NM60ND , STP190NF04 , IRF3205 , STP19NB20 , STP19NB20FP , STP19NM65N , STP1N105K3 , STP20N20 , STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP .
History: TPU60R3K4C | UTT80N10 | BUK445-200B | LNG06R110 | SRC65R170B | SMK1360FD | IRF152
History: TPU60R3K4C | UTT80N10 | BUK445-200B | LNG06R110 | SRC65R170B | SMK1360FD | IRF152
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor