STP19N05L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP19N05L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP19N05L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP19N05L даташит

 ..1. Size:143K  st
 stp19n05l.pdf pdf_icon

STP19N05L

 7.1. Size:194K  st
 stp19n06--.pdf pdf_icon

STP19N05L

STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP19N06 60 V

 7.2. Size:142K  st
 stp19n06l.pdf pdf_icon

STP19N05L

STP19N06L STP19N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06L 60 V

 7.3. Size:387K  st
 stp19n06.pdf pdf_icon

STP19N05L

STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP16NS25, STP16NS25FP, STP170N8F7, STP18N60M2, STP18N65M2, STP18N65M5, STP18NM60ND, STP190NF04, IRF3205, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, STP1N105K3, STP20N20, STP20N65M5, STP20NE06L, STP20NE06LFP