STP20NE06LFP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP20NE06LFP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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STP20NE06LFP datasheet

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STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NE06L 60 V

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STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NE06L 60 V

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STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.07 - 20 A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP20NE06L 60 V

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STP20NE06LFP

STP20NE06L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D

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