STP20NE06LFP Todos los transistores

 

STP20NE06LFP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP20NE06LFP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP20NE06LFP Datasheet (PDF)

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STP20NE06LFP

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

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STP20NE06LFP

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20NE06L 60 V

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STP20NE06LFP

STP20NE06LSTP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.07 - 20 A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP20NE06L 60 V

 4.3. Size:1041K  cn vbsemi
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STP20NE06LFP

STP20NE06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D

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History: CS4N60A3TDY | CS2N60I | FDH15N50 | UT3N10G-AA3-R | HRS140N06K | IRFM460 | IPP040N06N3G

 

 
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