STP20NE06LFP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP20NE06LFP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STP20NE06LFP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20NE06LFP даташит

 ..1. Size:107K  st
 stp20ne06l stp20ne06lfp.pdf pdf_icon

STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NE06L 60 V

 4.1. Size:104K  st
 stp20ne06l.pdf pdf_icon

STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.06 - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NE06L 60 V

 4.2. Size:53K  st
 stp20ne06l-.pdf pdf_icon

STP20NE06LFP

STP20NE06L STP20NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.07 - 20 A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP20NE06L 60 V

 4.3. Size:1041K  cn vbsemi
 stp20ne06l.pdf pdf_icon

STP20NE06LFP

STP20NE06L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP19N05L, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, STP1N105K3, STP20N20, STP20N65M5, STP20NE06L, IRFZ44, STP20NM50FP, STP20NM60A, STP21NM50N, STP21NM60N, STP2301, STP2305, STP23NM60N, STP240N10F7