STP265N6F6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP265N6F6AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1235 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00285 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP265N6F6AG MOSFET
STP265N6F6AG Datasheet (PDF)
stp265n6f6ag stw265n6f6ag.pdf

STP265N6F6AG, STW265N6F6AG Automotive N-channel 60 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max I DS DS(on) DSTP265N6F6AG 60 V 2.85 m 180 A STW265N6F6AG 60 V 2.85 m 180 A 33 Designed for automotive applications 221 Very low on-resistance 1 Very low g
stp26n60m2 stw26n60m2.pdf

STP26N60M2, STW26N60M2 N-channel 600 V, 0.14 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABV @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. JmaxSTP26N60M2 650 V 0.165 20 A 169 W STW26N60M2 33221 Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avala
stb26nm60n stp26nm60n.pdf

STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABSTB26NM60N TAB600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 21 Low gate input resistance Application
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf

STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V
Otros transistores... STP24N60DM2 , STP24N60M2 , STP24N65M2 , STP25N10F7 , STP25N80K5 , STP25NM50N , STP25NM60N , STP260N6F6 , AON7408 , STP26NM60ND , STP270N04 , IRFR3303PBF , IRFR3410PBF , IRFR3411PBF , IRFR3412PBF , IRFR3418PBF , IRFR3504PBF .
History: IRFH5007 | IPP057N06N3G | NCE2003 | IPP027N08N5 | SST80R1K3S | IPP034N08N5 | SWN4N65D
History: IRFH5007 | IPP057N06N3G | NCE2003 | IPP027N08N5 | SST80R1K3S | IPP034N08N5 | SWN4N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357