STP265N6F6AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP265N6F6AG
Маркировка: 265N6F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 183 nC
Время нарастания (tr): 165 ns
Выходная емкость (Cd): 1235 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00285 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP265N6F6AG
STP265N6F6AG Datasheet (PDF)
stp265n6f6ag stw265n6f6ag.pdf
STP265N6F6AG, STW265N6F6AG Automotive N-channel 60 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max I DS DS(on) DSTP265N6F6AG 60 V 2.85 m 180 A STW265N6F6AG 60 V 2.85 m 180 A 33 Designed for automotive applications 221 Very low on-resistance 1 Very low g
stp26n60m2 stw26n60m2.pdf
STP26N60M2, STW26N60M2 N-channel 600 V, 0.14 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABV @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. JmaxSTP26N60M2 650 V 0.165 20 A 169 W STW26N60M2 33221 Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avala
stb26nm60n stp26nm60n.pdf
STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABSTB26NM60N TAB600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 21 Low gate input resistance Application
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf
STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf
STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf
STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V
stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2DatasheetN-channel 650 V, 0.156 typ., 20 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeTABSTP26N65DM2 650 V 0.190 20 A 170 W Fast-recovery body diode32 Extremely low gate charge and input capacitance1 Low on-resistanceTO-220 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggednessD(2, T
stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf
STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32
stp26nm60n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP26NM60NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
