STP26NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP26NM60ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP26NM60ND datasheet

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STP26NM60ND

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60ND N-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID 3 1 STB26NM60ND 2 3 D PAK 2 1 STF26NM60ND 650 V 0.175 21 A TO-220FP STP26NM60ND TAB STW26NM60ND 100% avalanche tested 3 3 2

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STP26NM60ND

STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D TAB STB26NM60N TAB 600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 2 1 Low gate input resistance Application

 4.2. Size:1134K  st
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STP26NM60ND

STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 2 3 1 2 STB26NM60N 600 V

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STP26NM60ND

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP26NM60N FEATURES Low input capacitance and gate charge Low gate input resistances 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

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