STP26NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP26NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP26NM60ND MOSFET
STP26NM60ND Datasheet (PDF)
stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32
stb26nm60n stp26nm60n.pdf

STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABSTB26NM60N TAB600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 21 Low gate input resistance Application
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf

STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V
stp26nm60n.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP26NM60NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
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History: IPI80N06S2-07 | AOD407 | IPN70R750P7S | IPP90N04S4-02 | IPL60R210P6 | MSC22N03 | NTF5P03T3G
History: IPI80N06S2-07 | AOD407 | IPN70R750P7S | IPP90N04S4-02 | IPL60R210P6 | MSC22N03 | NTF5P03T3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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