STP26NM60ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP26NM60ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP26NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP26NM60ND даташит

 ..1. Size:1344K  st
 stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf pdf_icon

STP26NM60ND

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60ND N-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID 3 1 STB26NM60ND 2 3 D PAK 2 1 STF26NM60ND 650 V 0.175 21 A TO-220FP STP26NM60ND TAB STW26NM60ND 100% avalanche tested 3 3 2

 4.1. Size:1039K  st
 stb26nm60n stp26nm60n.pdf pdf_icon

STP26NM60ND

STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D TAB STB26NM60N TAB 600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 2 1 Low gate input resistance Application

 4.2. Size:1134K  st
 stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf pdf_icon

STP26NM60ND

STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 2 3 1 2 STB26NM60N 600 V

 4.3. Size:205K  inchange semiconductor
 stp26nm60n.pdf pdf_icon

STP26NM60ND

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP26NM60N FEATURES Low input capacitance and gate charge Low gate input resistances 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP24N60M2, STP24N65M2, STP25N10F7, STP25N80K5, STP25NM50N, STP25NM60N, STP260N6F6, STP265N6F6AG, IRF630, STP270N04, IRFR3303PBF, IRFR3410PBF, IRFR3411PBF, IRFR3412PBF, IRFR3418PBF, IRFR3504PBF, IRFR3504ZPBF