STP310N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP310N10F7
   Código: 310N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP310N10F7

STP310N10F7 Datasheet (PDF)

..1. Size:819K st
stp310n10f7.pdf

STP310N10F7N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP310N10F7 100 V 2.7 m 180 A Ultra low on-resistance 100% avalanche tested321ApplicationsTO-220 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis de

9.1. Size:1126K st
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5, STF31N65M5STP31N65M5, STW31N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO220FP, TO220 and TO-247 packagesFeaturesTABVDS @ TJMAX RDS(on ) max. IDOrder code Package3132STB31N65M5D2PAKD PAK 21TO-220FPSTF31N65M5 TO-220FPTAB710 V 0.148 22 ASTP31N65M5 TO-220STW31N65M5 TO-247332TO-220 2TO-24

9.2. Size:1658K st
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STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V

9.3. Size:817K st
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STP315N10F7Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Among the lowest RDS(on) on the market1 Excellent figure of merit (FoM)TO-220

9.4. Size:289K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor STP315N10F7FEATURESDrain Current : I = 180A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: