STP36NE06FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP36NE06FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP36NE06FP

STP36NE06FP Datasheet (PDF)

..1. Size:229K st
stp36ne06 stp36ne06fp.pdf

STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

5.1. Size:349K st
stp36ne06.pdf

STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

5.2. Size:112K st
stp36ne06-.pdf

STP36NE06STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

8.1. Size:444K st
stp36nf06l stb36nf06l.pdf

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V

8.2. Size:396K st
stp36n05l.pdf

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

8.3. Size:414K st
stp36n06.pdf

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

8.4. Size:330K st
stp36nf06 stp36nf06fp.pdf

STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V

8.5. Size:401K st
stp36n06l.pdf

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V

8.6. Size:204K st
stp36n05.pdf

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V

8.7. Size:102K st
stp36nf03l.pdf

STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 40A TO-220LOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NF03L 30 V

8.8. Size:415K st
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf

STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

8.9. Size:759K st
stp36n55m5 stw36n55m5.pdf

STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V

8.10. Size:328K st
stp36nf06fp.pdf