STP36NE06FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP36NE06FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STP36NE06FP
STP36NE06FP Datasheet (PDF)
stp36ne06 stp36ne06fp.pdf
STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36ne06.pdf
STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36ne06-.pdf
STP36NE06STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36nf06l stb36nf06l.pdf
STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V
stp36n05l.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V
stp36n06.pdf
STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V
stp36nf06 stp36nf06fp.pdf
STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V
stp36n06l.pdf
STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V
stp36n05.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V
stp36nf03l.pdf
STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 40A TO-220LOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NF03L 30 V
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf
STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested
stp36n55m5 stw36n55m5.pdf
STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V
stp36nf06fp.pdf
STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918