STP38N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP38N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP38N65M5 datasheet

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STP38N65M5

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB 2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID 1 TJmax max 3 2 D2PAK STB38N65M5 1 TO-220FP STF38N65M5

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STP38N65M5

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 2 Order codes ID 3 TJmax max 1 STB38N65M5 D2PAK STP38N65M5 710 V 0.095 30 A TAB STW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability 3 3 Excellent switching performance

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STP38N65M5

STP38N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP38N06 60 V

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