STP38N65M5 Todos los transistores

 

STP38N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP38N65M5
   Código: 38N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 71 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP38N65M5 Datasheet (PDF)

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STP38N65M5

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID1 TJmax max32D2PAKSTB38N65M51TO-220FP STF38N65M5

 ..2. Size:1667K  st
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STP38N65M5

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3TJmax max1STB38N65M5D2PAKSTP38N65M5 710 V 0.095 30 ATABSTW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability33 Excellent switching performance

 8.1. Size:423K  st
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STP38N65M5

STP38N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP38N06 60 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AM2336N-T1

 

 
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