STP3NB100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP3NB100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP3NB100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP3NB100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:109K st
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STP3NB100 STP3NB100FP N-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB100 1000 V

8.1. Size:103K st
stp3nb80 stp3nb80fp.pdf pdf_icon

STP3NB80 STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB80 800 V

8.2. Size:346K st
stp3nb80.pdf pdf_icon

STP3NB80 STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB80 800 V

8.3. Size:383K st
stp3nb90.pdf pdf_icon

STP3NB90 STP3NB90FP N-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NB90 900 V