STP3NB100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP3NB100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP3NB100
STP3NB100 Datasheet (PDF)
stp3nb100.pdf
STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V
stp3nb80 stp3nb80fp.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb80.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb90.pdf
STP3NB90STP3NB90FPN-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NB90 900 V
stp3nb80-fp.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb60.pdf
STP3NB60STP3NB60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB60 600 V
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