STP3NB100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP3NB100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
STP3NB100 Datasheet (PDF)
stp3nb100.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V
stp3nb80 stp3nb80fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb80.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb90.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB90STP3NB90FPN-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NB90 900 V
stp3nb80-fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP3NB60STP3NB60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB60 600 V
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .