STP3NB100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP3NB100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP3NB100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NB100 даташит

 ..1. Size:109K  st
 stp3nb100.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB100 STP3NB100FP N-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB100 1000 V

 8.1. Size:103K  st
 stp3nb80 stp3nb80fp.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB80 STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB80 800 V

 8.2. Size:346K  st
 stp3nb80.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB80 STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB80 800 V

 8.3. Size:383K  st
 stp3nb90.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB90 STP3NB90FP N-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NB90 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP36N55M5, STP36NE06, STP36NE06FP, STP36NF06FP, STP38N65M5, STP3HNK90Z, STP3N80K5, STP3NA50, MMIS60R580P, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, STP40N20, STP40N60M2, STP40N65M2