Справочник MOSFET. STP3NB100

 

STP3NB100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP3NB100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP3NB100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NB100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  st
 stp3nb100.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V

 8.1. Size:103K  st
 stp3nb80 stp3nb80fp.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 8.2. Size:346K  st
 stp3nb80.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 8.3. Size:383K  st
 stp3nb90.pdf pdf_icon

STP3NB100

STP3NB90STP3NB90FPN-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NB90 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP36N55M5 , STP36NE06 , STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , STP3NA50 , 2N7002 , STP3NB80 , STP3NB80FP , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 , STP40N65M2 .

History: 2N6660C4A | TK7J90E | ME2324D-G | CS37N5 | SIR626DP | 2N6659-2

 

 
Back to Top

 


 
.