STP40N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP40N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO-220
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STP40N20 datasheet
stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf
STP40N20 - STF40N20 STB40N20 - STW40N20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40N20 200V
stp40n03l-20.pdf
STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V
stp40nf10l.pdf
STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V
sti40n65m2 stp40n65m2.pdf
STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested
Otros transistores... STP3N80K5, STP3NA50, STP3NB100, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, IRF730, STP40N60M2, STP40N65M2, STP40NS15, STP413D, STP4403, STP4407, STP4407A, STP4435
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Liste
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MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
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