STP40N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP40N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP40N20 datasheet

 ..1. Size:501K  st
stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf pdf_icon

STP40N20

STP40N20 - STF40N20 STB40N20 - STW40N20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40N20 200V

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STP40N20

STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V

 8.2. Size:239K  st
stp40nf10l.pdf pdf_icon

STP40N20

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

 8.3. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdf pdf_icon

STP40N20

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

Otros transistores... STP3N80K5, STP3NA50, STP3NB100, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, IRF730, STP40N60M2, STP40N65M2, STP40NS15, STP413D, STP4403, STP4407, STP4407A, STP4435