STP4N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP4N80K5 datasheet

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std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdf pdf_icon

STP4N80K5

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 STD4N80K5 60 W 3 DPAK 2 STF4N80K5 20 W 1 800 V 2.5 3 A TO-220FP TAB STP4N80K5 60 W TAB STU4N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area 3

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STP4N80K5

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STP4N80K5

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STP4N80K5

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

Otros transistores... STP45NE06, STP45NE06FP, STP46NF30, STP4803, STP4925, STP4931, STP4953, STP4953A, 10N60, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, STP4NM60, STP50NE08, STP50NE10