Справочник MOSFET. STP4N80K5

 

STP4N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1294K  st
std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdfpdf_icon

STP4N80K5

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOT31STD4N80K5 60 W3DPAK2STF4N80K5 20 W1800 V 2.5 3 ATO-220FPTAB STP4N80K560 WTAB STU4N80K5 Industrys lowest RDS(on) x area3

 7.1. Size:286K  st
stp4n80xi.pdfpdf_icon

STP4N80K5

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4N80K5

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdfpdf_icon

STP4N80K5

STP4NC60A - STP4NC60AFPSTB4NC60A-1N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NC60A 600V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SSM3K335R | SLF60R080SS | IRC330 | R6524KNX | SI4834BDY | NCE65T360 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.