STP4NA90FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP4NA90FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de STP4NA90FI MOSFET
STP4NA90FI Datasheet (PDF)
stp4na80.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
stp4na60fp.pdf
STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V
stp4na80-fi.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
Otros transistores... STP46NF30 , STP4803 , STP4925 , STP4931 , STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , AON6414A , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP4NM60 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP .
History: IPZ60R040C7 | FQD1N60TM
History: IPZ60R040C7 | FQD1N60TM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492