STP4NA90FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP4NA90FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 51 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP4NA90FI
STP4NA90FI Datasheet (PDF)
stp4na80.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
stp4na60fp.pdf
STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V
stp4na80-fi.pdf
STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V
stp4na40.pdf
STP4NA40STP4NA40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA40 400 V
stp4na100.pdf
STP4NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA100 1000 V
stp4na60.pdf
STP4NA60STP4NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA60 600 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C