STP4NA90FI - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP4NA90FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4NA90FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP4NA90FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:239K st
stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

8.1. Size:383K st
stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V

8.2. Size:96K st
stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP4NA60FP 600 V

8.3. Size:391K st
stp4na80-fi.pdf pdf_icon

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NA80 800 V