STP4NB50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP4NB50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP4NB50

STP4NB50 Datasheet (PDF)

..1. Size:176K st
stp4nb50 stp4nb50fp.pdf

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

..2. Size:129K st
stp4nb50.pdf

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

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stp4nb80-.pdf

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage

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stp4nb100-.pdf

STP4NB100STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB100 1000 V

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stp4nb80.pdf

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage MESH OVERLAYp

8.4. Size:331K st
stp4nb30.pdf