STP4NB80 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP4NB80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NB80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO-220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STP4NB80 datasheet

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STP4NB80 STP4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NB80 800 V 3.3 4 A STP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage MESH OVERLAY p

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STP4NB80 STP4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NB80 800 V 3.3 4 A STP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage

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