STP4NB80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP4NB80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP4NB80

STP4NB80 Datasheet (PDF)

..1. Size:246K st
stp4nb80.pdf

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage MESH OVERLAYp

0.1. Size:82K st
stp4nb80-.pdf

STP4NB80STP4NB80FPN - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB80 800 V 3.3 4 ASTP4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED3 32 2DESCRIPTION 1 1Using the latest high voltage

8.1. Size:53K st
stp4nb100-.pdf

STP4NB100STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB100 1000 V

8.2. Size:176K st
stp4nb50 stp4nb50fp.pdf

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

8.3. Size:331K st
stp4nb30.pdf

STP4NB30STP4NB30FPN-CHANNEL 300V - 1.8 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB30 300 V

8.4. Size:210K st
stp4nb100.pdf

STP4NB100STP4NB100FPN - CHANNEL 1000V - 4 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NB100 1000 V

8.5. Size:129K st
stp4nb50.pdf

STP4NB50STP4NB50FPN-CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NB50 500 V

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: