STP4NM60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4NM60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP4NM60 datasheet

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STP4NM60

STP4NM60 STD3NM60 - STD3NM60-1 N-CHANNEL 600V - 1.3 - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NM60 600 V

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std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf pdf_icon

STP4NM60

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STP4NM60

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STP4NM60

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

Otros transistores... STP4953, STP4953A, STP4N80K5, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, 7N65, STP50NE08, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, STP57N65M5, STP5N105K5, STP5N120, STP5N60M2