STP4NM60 Todos los transistores

 

STP4NM60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4NM60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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STP4NM60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  st
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STP4NM60

STP4NM60STD3NM60 - STD3NM60-1N-CHANNEL 600V - 1.3 - 3A TO-220/DPAK/IPAKZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NM60 600 V

 ..2. Size:705K  st
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf pdf_icon

STP4NM60

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdf pdf_icon

STP4NM60

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdf pdf_icon

STP4NM60

STP4NC60A - STP4NC60AFPSTB4NC60A-1N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NC60A 600V

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History: FS10KM-9 | H6N70U | KI5447DC

 

 
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