STP4NM60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4NM60

Маркировка: P4NM60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP4NM60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NM60 даташит

 ..1. Size:399K  st
stp4nm60.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NM60 STD3NM60 - STD3NM60-1 N-CHANNEL 600V - 1.3 - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NM60 600 V

 ..2. Size:705K  st
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdfpdf_icon

STP4NM60

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

Другие IGBT... STP4953, STP4953A, STP4N80K5, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, 7N65, STP50NE08, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, STP57N65M5, STP5N105K5, STP5N120, STP5N60M2