Справочник MOSFET. STP4NM60

 

STP4NM60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NM60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP4NM60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NM60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  st
stp4nm60.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NM60STD3NM60 - STD3NM60-1N-CHANNEL 600V - 1.3 - 3A TO-220/DPAK/IPAKZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NM60 600 V

 ..2. Size:705K  st
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

 9.1. Size:664K  st
stp4nk50z.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

 9.2. Size:338K  st
stp4nc60a.pdfpdf_icon

STP4NM60

STP4NC60A - STP4NC60AFPSTB4NC60A-1N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NC60A 600V

Другие MOSFET... STP4953 , STP4953A , STP4N80K5 , STP4NA90 , STP4NA90FI , STP4NB100 , STP4NB50 , STP4NB80 , STP75NF75 , STP50NE08 , STP50NE10 , STP55NF03L , STP55NF06FP , STP57N65M5 , STP5N105K5 , STP5N120 , STP5N60M2 .

History: IPP80N04S2-04 | NTMFS5C426NLT1G | BLM8205 | CS4905S | IRFH8318PBF | FQP7N40 | 8N65

 

 
Back to Top

 


 
.