STP5NB40 Todos los transistores

 

STP5NB40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5NB40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP5NB40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  st
 stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5NB40

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

 ..2. Size:324K  st
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STP5NB40

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

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STP5NB40

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

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STP5NB40

STP5NB100STP5NB100FPN-CHANNEL 1000V - 2.4 - 5A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB100 1000 V

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History: STP33N65M2 | STP55N06L

 

 
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