STP5NB40 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP5NB40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5NB40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP5NB40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:240K st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

..2. Size:324K st
stp5nb40.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

0.1. Size:341K st
stp5nb40-fp.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

8.1. Size:328K st
stp5nb100-fp.pdf pdf_icon

STP5NB100 STP5NB100FP N-CHANNEL 1000V - 2.4 - 5A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB100 1000 V