STP5NB60 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP5NB60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5NB60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP5NB60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:248K st
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STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

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STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

0.2. Size:364K st
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STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

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stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V