STP5NB60 Todos los transistores

 

STP5NB60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5NB60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP5NB60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  st
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STP5NB60

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V

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STP5NB60

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V

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STP5NB60

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V

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STP5NB60

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

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History: LSGN04R029 | STFW3N150 | KIA2N60H-220 | QM6006S | P0770ETF | AP4506GEM | CI47N65

 

 
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