STP5NB60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP5NB60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP5NB60 Datasheet (PDF)
stp5nb60.pdf

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V
stp5nb60-fp .pdf

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V
stp5nb60-fp.pdf

STP5NB60STP5NB60FPN - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB60 600 V
stp5nb40 stp5nb40fp.pdf

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2N65L-T60-K | RP1E125XN | P1504EDG | AM90N03-02D | IRF7831PBF | APM4416 | STD18N65M5
History: 2N65L-T60-K | RP1E125XN | P1504EDG | AM90N03-02D | IRF7831PBF | APM4416 | STD18N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496