STP5NB60 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP5NB60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5NB60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP5NB60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:248K st
stp5nb60.pdf pdf_icon

STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

0.1. Size:356K st
stp5nb60-fp .pdf pdf_icon

STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

0.2. Size:364K st
stp5nb60-fp.pdf pdf_icon

STP5NB60 STP5NB60FP N - CHANNEL 600V - 1.8 - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB60 600 V

8.1. Size:240K st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V