STP60N05-14 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP60N05-14 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP60N05-14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP60N05-14 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

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STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

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STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

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STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V