Справочник MOSFET. STP60N05-14

 

STP60N05-14 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP60N05-14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP60N05-14

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP60N05-14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  st
stp60n05-14.pdfpdf_icon

STP60N05-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 ..2. Size:54K  st
stp60n05-14 stp60n06-14.pdfpdf_icon

STP60N05-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 4.1. Size:354K  st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdfpdf_icon

STP60N05-14

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 6.1. Size:77K  st
stp60n05 stp60n06.pdfpdf_icon

STP60N05-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

Другие MOSFET... STP5NB60 , STP5NK40Z , STP5NK40ZFP , STP5NK50ZFP , STP5NK80ZFP , STP5NK90Z , STP601D , STP607D , 4N60 , STP60N06-14 , STP60NE06-16 , STP60NE06-16FP , STP60NE06L-16 , STP60NE06L-16FP , STP60NF06LFP , STP60NH2LL , STP6308 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | 2SK1280 | CHM5813ESQ2GP | CEP14A04

 

 
Back to Top

 


 
.