STP60N05-14 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP60N05-14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP60N05-14

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP60N05-14

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:81K st
stp60n05-14.pdf pdf_icon

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

..2. Size:54K st
stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

4.1. Size:354K st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

6.1. Size:77K st
stp60n05 stp60n06.pdf pdf_icon

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V