STP60NE06-16FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP60NE06-16FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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STP60NE06-16FP datasheet

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STP60NE06-16FP

STP60NE06-16 STP60NE06-16FP N-CHANNEL 60V - 0.013 - 60A TO-220/TO-220FP "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STP60NE06-16 60 V

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STP60NE06-16FP

STP60NE06-16 STP60NE06-16FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP60NE06-16 60 V

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STP60NE06-16FP

isc N-Channel MOSFET Transistor STP60NE06-16 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 5.1. Size:240K  st
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STP60NE06-16FP

STP60NE06L-16 STP60NE06L-16FP N - CHANNEL 60V - 0.014 - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP60NE06L-16 60 V

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