STP6NK60ZFP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6NK60ZFP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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STP6NK60ZFP datasheet
stb6nk60z stb6nk60z-1 stp6nk60zfp stp6nk60z.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z N-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STB6NK60Z 600 V
stb6nk60zt4 stp6nk60zfp.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z N-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STB6NK60Z 600 V
stp6nk60z.pdf
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK60Z 600 V
stp6nk60z.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STP6NK60Z DESCRIPTION Drain Current I = 6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications in switching power supplies and
Otros transistores... STP6621, STP6623, STP6635GH, STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, STP6NB90, STP6NC60, 10N65, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, STP7401, STP7407, STP75N20, STP75N75F4
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Liste
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