STP6NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP6NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP6NM60N datasheet

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STP6NM60N

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

 ..2. Size:685K  st
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STP6NM60N

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

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STP6NM60N

STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NA60FP 600 V

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stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6NM60N

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

Otros transistores... STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, STP6NB90, STP6NC60, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, SI2302, STP6NS25, STP7401, STP7407, STP75N20, STP75N75F4, STP75NF75FP, STP77N6F6, STP7N105K5