STP8NM60D MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP8NM60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP8NM60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de STP8NM60D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STP8NM60D datasheet

..1. Size:738K st
stp8nm60d.pdf pdf_icon

STB8NM60D STP8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB8NM60D 600V

..2. Size:746K st
stb8nm60d stp8nm60d.pdf pdf_icon

STB8NM60D STP8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB8NM60D 600V

6.1. Size:698K st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

6.2. Size:554K st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

Otros transistores... STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, STP8NM50FP, RU7088R, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435, STP9437, STP9527

STP8NM60D Todos los transistores