Справочник MOSFET. STP8NM60D

 

STP8NM60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8NM60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP8NM60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  st
 stp8nm60d.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STB8NM60DSTP8NM60DN-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAKFast Diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB8NM60D 600V

 ..2. Size:746K  st
 stb8nm60d stp8nm60d.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STB8NM60DSTP8NM60DN-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAKFast Diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB8NM60D 600V

 6.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 6.2. Size:554K  st
 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP80NE03L-06 , STP80NE06-10 , STP80NF03L , STP80NF03L-04 , STP80NF55-06FP , STP8N80K5 , STP8NK85Z , STP8NM50FP , MMD60R360PRH , STP8NM60FP , STP8NM60N , STP8NS25FP , STP90N6F6 , STP9235 , STP9435 , STP9437 , STP9527 .

History: FQPF9N50T | IXKK85N60C | MDU1517RH | GSM2354

 

 
Back to Top

 


 
.