STP8NM60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NM60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP8NM60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM60D даташит

 ..1. Size:738K  st
 stp8nm60d.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STB8NM60D STP8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB8NM60D 600V

 ..2. Size:746K  st
 stb8nm60d stp8nm60d.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STB8NM60D STP8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB8NM60D 600V

 6.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 6.2. Size:554K  st
 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STP8NM60D

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, STP8NM50FP, RU7088R, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435, STP9437, STP9527